很(Hen)多(Duo)未(Wei)使(Shi)用(Yong)过(Guo)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)设(She)计(Ji)的(De)工(Gong)程(Cheng)师(Shi)会(Hui)对(Dui)它(Ta)产(Chan)生(Sheng)一(Yi)定(Ding)的(De)畏(Wei)惧(Ju)心(Xin)理(Li)，(?)比(Bi)如(Ru)担(Dan)心(Xin)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)的(De)干(Gan)扰(Rao)问(Wen)题(Ti)，(?)PCB layout问(Wen)题(Ti)，(?)元(Yuan)器(Qi)件(Jian)的(De)参(Can)数(Shu)和(He)类(Lei)型(Xing)选(Xuan)择(Ze)问(Wen)题(Ti)等(Deng)。(?)其(Qi)实(Shi)只(Zhi)要(Yao)了(Liao)解(Jie)了(Liao)，(?)使(Shi)用(Yong)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)设(She)计(Ji)还(Huan)是(Shi)非(Fei)常(Chang)方(Fang)便(Bian)的(De)。(?)

一(Yi)个(Ge)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)一(Yi)般(Ban)包(Bao)含(Han)有(You)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)和(He)输(Shu)出(Chu)两(Liang)部(Bu)分(Fen)，(?)有(You)些(Xie)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)会(Hui)将(Jiang)MOSFET集(Ji)成(Cheng)到(Dao)芯(Xin)片(Pian)中(Zhong)去(Qu)，(?)这(Zhe)样(Yang)使(Shi)用(Yong)就(Jiu)更(Geng)简(Jian)单(Dan)了(Liao)，(?)也(Ye)简(Jian)化(Hua)了(Liao)PCB设(She)计(Ji)，(?)但(Dan)是(Shi)设(She)计(Ji)的(De)灵(Ling)活(Huo)性(Xing)就(Jiu)减(Jian)少(Shao)了(Liao)一(Yi)些(Xie)。(?)

开(Kai)关(Guan)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)基(Ji)本(Ben)上(Shang)就(Jiu)是(Shi)一(Yi)个(Ge)闭(Bi)环(Huan)的(De)反(Fan)馈(Kui)控(Kong)制(Zhi)系(Xi)统(Tong)，(?)所(Suo)以(Yi)一(Yi)般(Ban)都(Du)会(Hui)有(You)一(Yi)个(Ge)反(Fan)馈(Kui)输(Shu)出(Chu)电(Dian)压(Ya)的(De)采(Cai)样(Yang)电(Dian)路(Lu)以(Yi)及(Ji)反(Fan)馈(Kui)环(Huan)的(De)控(Kong)制(Zhi)电(Dian)路(Lu)。(?)因(Yin)此(Ci)这(Zhe)部(Bu)分(Fen)的(De)设(She)计(Ji)在(Zai)于(Yu)保(Bao)证(Zheng)精(Jing)确(Que)的(De)采(Cai)样(Yang)电(Dian)路(Lu)，(?)还(Huan)有(You)来(Lai)控(Kong)制(Zhi)反(Fan)馈(Kui)深(Shen)度(Du)，(?)因(Yin)为(Wei)如(Ru)果(Guo)反(Fan)馈(Kui)环(Huan)响(Xiang)应(Ying)过(Guo)慢(Man)的(De)话(Hua)，(?)对(Dui)瞬(Shun)态(Tai)响(Xiang)应(Ying)能(Neng)力(Li)是(Shi)会(Hui)有(You)很(Hen)大(Da)影(Ying)响(Xiang)。(?)

输(Shu)出(Chu)部(Bu)分(Fen)设(She)计(Ji)包(Bao)含(Han)了(Liao)输(Shu)出(Chu)电(Dian)容(Rong)，(?)输(Shu)出(Chu)电(Dian)感(Gan)以(Yi)及(Ji)MOSFET等(Deng)等(Deng)，(?)这(Zhe)些(Xie)器(Qi)件(Jian)的(De)选(Xuan)择(Ze)基(Ji)本(Ben)上(Shang)就(Jiu)是(Shi)要(Yao)满(Man)足(Zu)性(Xing)能(Neng)和(He)成(Cheng)本(Ben)的(De)平(Ping)衡(Heng)，(?)比(Bi)如(Ru)高(Gao)的(De)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lu)就(Jiu)可(Ke)以(Yi)使(Shi)用(Yong)小(Xiao)的(De)电(Dian)感(Gan)值(Zhi)（(?)意(Yi)味(Wei)着(Zhuo)小(Xiao)的(De)封(Feng)装(Zhuang)和(He)便(Bian)宜(Yi)的(De)成(Cheng)本(Ben)）(?)，(?)但(Dan)是(Shi)高(Gao)的(De)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lu)会(Hui)增(Zeng)加(Jia)干(Gan)扰(Rao)和(He)对(Dui)MOSFET的(De)开(Kai)关(Guan)损(Sun)耗(Hao)，(?)从(Cong)而(?)效(Xiao)率(Lu)降(Jiang)低(Di)。(?)低(Di)的(De)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lu)带(Dai)来(Lai)的(De)结(Jie)果(Guo)则(Ze)是(Shi)相(Xiang)反(Fan)的(De)。(?)

对(Dui)于(Yu)输(Shu)出(Chu)电(Dian)容(Rong)的(De)ESR和(He)MOSFET的(De)Rds_on参(Can)数(Shu)选(Xuan)择(Ze)也(Ye)是(Shi)非(Fei)常(Chang)关(Guan)键(Jian)的(De)，(?)小(Xiao)的(De)ESR可(Ke)以(Yi)减(Jian)小(Xiao)输(Shu)出(Chu)纹(Wen)波(Bo)，(?)但(Dan)是(Shi)电(Dian)容(Rong)成(Cheng)本(Ben)会(Hui)增(Zeng)加(Jia)，(?)好(Hao)的(De)电(Dian)容(Rong)会(Hui)贵(Gui)嘛(Ma)。(?)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)驱(Qu)动(Dong)能(Neng)力(Li)也(Ye)要(Yao)注(Zhu)意(Yi)，(?)过(Guo)多(Duo)的(De)MOSFET是(Shi)不(Bu)能(Neng)被(Bei)良(Liang)好(Hao)驱(Qu)动(Dong)的(De)。(?)

一(Yi)般(Ban)来(Lai)说(Shuo)，(?)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)控(Kong)制(Zhi)器(Qi)的(De)供(Gong)应(Ying)商(Shang)会(Hui)提(Ti)供(Gong)具(Ju)体(Ti)的(De)计(Ji)算(Suan)公(Gong)式(Shi)和(He)使(Shi)用(Yong)方(Fang)案(An)供(Gong)工(Gong)程(Cheng)师(Shi)借(Jie)鉴(Jian)的(De)。(?)